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近期，三星电子在半导体先进制程范畴获得重要发展。归纳多家新闻媒体报导，该公司2纳米制程良率已打破60%，一起确立了2030年前完结1纳米制程开发并转入量产的方针，全球晶圆代工商场之间的竞赛格式继续演化。
据韩国《韩国经济日报》征引业界音讯人士报导，三星电子晶圆代工部分2纳米制程良率现在最高已超越60%。这一数字较2025年下半年的约20%完结显着提高，在短短两个季度内添加两倍以上。
良率提高意味着每片晶圆产出的可用芯片数量添加，直接紧缩单位成本，并增强了三星在晶圆代工商场中的议价才能。职业调查人士指出，台积电2纳米工艺良率现在在60%至70%之间，三星已与职业龙头根本相等。
在产能利用率方面，三星晶圆代工事务2026年第一季度已攀升至80%区间，创下逾一年以来的顶配水平。复苏大多散布在在韩国平泽园区的P2和P3出产线纳米先进制程芯片的出产。
在更先进的制程节点上，三星电子晶圆代工事务部分已拟定方案，力求在2030年前完结1纳米半导体工艺的研制并投入量产。1纳米技能被视为“愿望立异工艺”，意味着半导体芯片中担任数据处理的元件宽度理论上可缩小至1纳米。
技能架构方面，三星方案在1纳米制程中引进“叉片”（forksheet）晶体管结构。这是对现有全盘绕栅极（GAA）技能的进一步演进——GAA技能经过将电流途径从传统三边扩展到四边，有用提高了功耗功率；而叉片结构在此基础上，经过在GAA晶体管之间构建电绝缘壁，进一步缩小晶体管距离，从而在相同芯片面积内包容更多元件。
值得注意的是，商场龙头台积电相同方案在2030年后将叉片结构引进1纳米工艺，这在某种程度上预示着三星有望在关键技能路线上与职业龙头完结平等技能竞赛。
在客户结构方面，三星已与特斯拉签定价值约165亿美元的AI芯片供给合同。此外，商场音讯显现高通与AMD有望成为2纳米晶圆的潜在大客户，方针节点包含SF2及升级版SF2P。
三星并非仅有押注1纳米技能的晶圆代工厂商。据《日经XTech》报导，日本半导体制作商Rapidus首席技能官表明，公司方针是在1纳米节点将与台积电的技能距离缩短至约六个月。Rapidus方案于2026年发动1.4纳米半导体制作技能的研制，量产方针定在2029年前后。
台积电方面进展则更为抢先。据新闻媒体报导，台积电1纳米制程有望率先在中部科学园区落地，首座晶圆厂估计最快于2027年末完结试产，并于2028年下半年转入量产。若台积电时间表按期推动，将较三星抢先约两年。
良率的打破直接提振了商场对三星代工事务的决心。据业界人士剖析，三星晶圆代工部分自2022年以来继续录得以万亿韩元计的亏本，但跟着先进制程良率改进及新订单到位，外界遍及预期其晶圆代工事务有望在本年完结盈余。
KB证券最新研究报告估计，跟着特斯拉AI芯片供货规划扩展、产能利用率提高，三星晶圆代工成绩估计将在2027年由亏本转为盈余。回来搜狐，检查更加多
